規(guī)格型號(hào)：26322177
頻率：1.54~200MHZ
尺寸：5.0*7.0mm
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產(chǎn)品描述：FMI晶振,FMVC3S晶振,FMVC3S50CGAS/L-24.000M-CM晶振,壓控晶振(VCXO),壓控石英晶體振蕩器基本解決方案,PECL輸出,輸出頻率60MHz到200MHz之間,出色的低相位噪聲和抖動(dòng),三態(tài)功能,應(yīng)用:SDH/SONET,以太網(wǎng),基站,筆記本晶振應(yīng)...

FMI晶振,FMVC3S晶振,FMVC3S50CGAS/L-24.000M-CM晶振,壓控晶振(VCXO),壓控石英晶體振蕩器基本解決方案,PECL輸出,輸出頻率60MHz到200MHz之間,出色的低相位噪聲和抖動(dòng),三態(tài)功能,應(yīng)用:SDH/SONET,以太網(wǎng),基站,筆記本晶振應(yīng)用,符合RoHS/無鉛.

我們的石英晶體和晶體振蕩器產(chǎn)品解決方案針對(duì)工業(yè)控制,能源探索和生產(chǎn),航空電子和太空,無線系統(tǒng)(XBee等),智能公用事業(yè),先進(jìn)的高速4G網(wǎng)絡(luò)和固態(tài)存儲(chǔ),極低功耗和電池供電關(guān)鍵應(yīng)用解決方案.
環(huán)境政策
作為晶體和振蕩器產(chǎn)品的制造商,FMI致力于保護(hù)全球環(huán)境,并相信環(huán)境可持續(xù)性在良好的商業(yè)實(shí)踐中起著關(guān)鍵作用.我們將繼續(xù)制定和維護(hù)計(jì)劃和程序,以便在我們的所有業(yè)務(wù)運(yùn)營中保持環(huán)保意識(shí).請(qǐng)?jiān)诖颂幉榭碏MI的完整環(huán)境政策聲明.
頻率管理使命宣言
頻率管理|INTERNATIONAL[FMI]在頻率控制設(shè)備的設(shè)計(jì)和制造方面提供卓越的解決方案,同時(shí)提供業(yè)內(nèi)已知的最高質(zhì)量的客戶服務(wù)質(zhì)量.
我們專注于優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品,定制解決方案以及從概念到交付的快速周轉(zhuǎn).我們的專業(yè)技術(shù)人員提供最佳設(shè)計(jì)解決方案,為高科技市場(chǎng)的客戶提供長期價(jià)值,包括(但不限于)通信,商業(yè)空間,石油鉆探,地?zé)?工業(yè),高可靠性,軍事和航空航天.
FMI晶振作為標(biāo)準(zhǔn)通信公司的專屬供應(yīng)商,創(chuàng)立50多年來,一直為通信市場(chǎng)提供快速交付和嚴(yán)格公差的石英晶振和石英晶體振蕩器.FMI晶振,FMVC3S晶振,FMVC3S50CGAS/L-24.000M-CM晶振.

Parameter		Specification
Frequency Range		1.54 MHz - 200 MHz
Overall Frequency Tolerance		20 ppm to ±100 ppm (±50 ppm STD) (Inclusive of Operating Temp., Supply Voltage, & Load.)
Operating Temperature Range		0 to +70°C Std.
Storage Temperature		-55 to +125°C
Supply Voltage (Vdd)		+3.3 Vdc (±0.3 Vdc)
Supply Current (Icc)		30 mA max. @ 1.54 to 23.9 MHz 50 mA max. @ 24.0 to 60.0 MHz 75 mA max. @ 61.0 to 160.0 MHz 90 mA max. @ 161.0 to 200.0 MHz
Symmetry (Duty Cycle)		40/60% Std., 45/55% Avail. (See Spec. Option S)
Output “0” Level (V OL )		0.3 Vdc max. @ +3.3 Vdc
Output “1” Level (V OH )		3.0 Vdc min. @ +3.3 Vdc
Rise and Fall Time		10 ns max. < 5 ns typical
Linearity		±20% max. Std. , ±10% Available (See Spec. Option L)
Output Load		10 TTL / 15 pF HCMOS < 40.0 MHz 15 pF HCMOS
Pullability		±50 to ±100 ppm typical @ 3.3 Vdd (Select a min. and max. pullability from part number.)
Jitter		1 pico second RMS Max
Phase Noise (typical)		10 Hz -75dBc/Hz 100 Hz -110dBc/Hz 1kHz -125dBc/Hz 10kHz -130dBc/Hz 100kHz -140dBc/Hz
Control Voltage (Vc)		Nominal 1.65 Vdc, Range 0.0-3.3 Vdc, Positive Transfer
Aging @ 25°C		±3 ppm max first year
All specifications subject to change without notice.

存儲(chǔ)事項(xiàng)

(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時(shí)間保存晶體產(chǎn)品時(shí)，會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請(qǐng)?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些晶體產(chǎn)品，并在開封后盡可能進(jìn)行安裝，以免長期儲(chǔ)藏。
正常溫度和濕度：
溫度：+15°C 至 +35°C，濕度 25 % RH 至 85 % RH（請(qǐng)參閱“測(cè)試點(diǎn)JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容）。
(2) 請(qǐng)仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞。
安裝時(shí)注意事項(xiàng)
耐焊性
加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接晶體產(chǎn)品，建議使用SMD產(chǎn)品。在下列回流條件下，對(duì)晶體產(chǎn)品甚至SMD產(chǎn)品使用更高溫度，會(huì)破壞產(chǎn)品特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些產(chǎn)品之前，應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間。同時(shí)，在安裝條件更改的情況下，請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查。如果需要焊接的石英晶體產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接，請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。
（1）柱面式產(chǎn)品和DIP產(chǎn)品
型號(hào) 焊接條件
[ 柱面式音叉晶振]
C-類型，C-2-類型，C-4-類型 +280°C或低于@最大值5 s
請(qǐng)勿加熱封裝材料超過+150°C
[ 柱面式 ]
CA-301
[ DIP ]
SG-51 / 531, SG-8002DB DC,
RTC-72421 / 7301DG +260°C或低于@最大值 10 s
請(qǐng)勿加熱封裝材料超過+150°C
(2)SMD晶振產(chǎn)品回流焊接條件（實(shí)例）
用于JEDEC J-STD-020D.01回流條件的耐熱可用性需個(gè)別判斷。請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)信息。
盡可能使溫度變化曲線保持平滑。FMI晶振,FMVC3S晶振,FMVC3S50CGAS/L-24.000M-CM晶振.

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