規(guī)格型號(hào)：41798244
頻率：12~00MHZ
尺寸：4.5*5.0
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產(chǎn)品描述：HEC晶振,HE-MCC-125晶振,HE-MCC-125-A-20.000F-E晶振,智能手機(jī)晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動(dòng)通信終端的基準(zhǔn)時(shí)鐘等移動(dòng)通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無(wú)線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺(tái)基站等較高端...

HEC晶振,HE-MCC-125晶振,HE-MCC-125-A-20.000F-E晶振,智能手機(jī)晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動(dòng)通信終端的基準(zhǔn)時(shí)鐘等移動(dòng)通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無(wú)線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺(tái)基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類(lèi)移動(dòng)通信的基準(zhǔn)時(shí)鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動(dòng)通信領(lǐng)域,滿(mǎn)足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
HECCrystal是美國(guó)知名晶振品牌,生產(chǎn)制造各種HEC晶振,HEC貼片晶體,包括晶體振蕩器系列.HECCrystal除了晶振之外也是射頻和微波產(chǎn)品的重要制造商.

HEC晶振公司從創(chuàng)辦以來(lái),一直努力研發(fā)自家的石英水晶組件,HEC石英晶振的體積小,精度高,低功耗,穩(wěn)定性好,而且HEC Crystal產(chǎn)品性?xún)r(jià)比高.

HEC晶振公司致力于提供高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)的HEC壓控晶體振蕩器,石英晶振,TCXO溫補(bǔ)晶振等定制解決方案,以滿(mǎn)足各種電子產(chǎn)品行業(yè)的各種專(zhuān)業(yè)技術(shù)要求.致力于不斷提供積極主動(dòng)的客戶(hù)服務(wù),產(chǎn)品有保障,價(jià)格實(shí)惠.
HEC, Inc. Hooray USA 致力于提供無(wú)與倫比的質(zhì)量，同時(shí)保持極具競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格和快速的交貨時(shí)間表。我們供應(yīng)廣泛多樣的行業(yè)，包括電信、軍事和國(guó)防、石油鉆探、汽車(chē)和商業(yè)產(chǎn)品。HEC晶振,HE-MCC-125晶振,HE-MCC-125-A-20.000F-E晶振.

耐焊性:

將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品.在下列回流條件下,對(duì)石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會(huì)破壞晶振特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間.同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查.如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.

粘合劑

請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.）

機(jī)械振動(dòng)的影響

當(dāng)晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí),比如：壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會(huì)受到影響.這種現(xiàn)象對(duì)通信器材通信質(zhì)量有影響.盡管晶振產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作.

熱影響

重復(fù)的溫度巨大變化可能會(huì)降低受損害的石英晶振產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.

安裝方向

振蕩器的不正確安裝會(huì)導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時(shí),請(qǐng)檢查安裝方向是否正確.

通電

不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會(huì)導(dǎo)致無(wú)法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作.

負(fù)載電容

有源晶振振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過(guò)強(qiáng)力調(diào)整,可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容（請(qǐng)參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容）.HEC晶振,HE-MCC-125晶振,HE-MCC-125-A-20.000F-E晶振.

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