規(guī)格型號(hào)：17219650
頻率：1~220MHZ
尺寸：7.0*5.0mm
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產(chǎn)品描述：SiTime晶振,SiT9105晶振,高性能晶振,小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產(chǎn)品帶來(lái)了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆...

SiTime晶振,SiT9105晶振,高性能晶振,小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產(chǎn)品帶來(lái)了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V~5V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無(wú)線通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無(wú)鉛.

SiTime 提供全面的福利計(jì)劃，使我們的團(tuán)隊(duì)能夠繁榮發(fā)展并釋放他們的全部潛力——因?yàn)槲覀冎澜】岛拓?cái)務(wù)狀況對(duì)于我們的員工茁壯成長(zhǎng)至關(guān)重要.
SiTime Crystal是MegaChips公司的獨(dú)立子公司,主要以生產(chǎn)高精度石英晶體振蕩器,可編程晶體振蕩器,MEMS晶振等器件為主.SiTime晶振主要以生產(chǎn)MEMS晶振,VCXO晶振等頻率元件.
我們現(xiàn)在引領(lǐng) MEMS 時(shí)鐘市場(chǎng)，生產(chǎn)可編程解決方案，使客戶能夠以更高的性能、更小的尺寸、更低的功耗和更好的可靠性來(lái)區(qū)分他們的產(chǎn)品。
SiTime晶振的可配置解決方案幫助客戶提高產(chǎn)品性能，縮小產(chǎn)品尺寸，提升產(chǎn)品可靠性，并在市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中脫穎而出。SiTime產(chǎn)品采用標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體制造工藝和高量產(chǎn)塑料封裝技術(shù)的生產(chǎn)流程，提供業(yè)界強(qiáng)大的供貨能力和簡(jiǎn)短的交貨時(shí)間.并且SiTime晶振向市場(chǎng)供應(yīng)優(yōu)質(zhì)的有源晶振,可編程振蕩器等產(chǎn)品.SiTime晶振,SiT9105晶振,高性能晶振.

Ab solute Maximum Table
Parameter	Min.	Max.	Unit
Storage Temperature	-65	150	°C
VDD	-0.5	+4	V
Theta JA ( with copper plane on VDD and GND)	–	27.5	°C/W
Theta JC (with PCB traces of 0.010 inch to all pins)	–	47	°C/W
Soldering Temperature (follow standard Pb free soldering guidelines)	–	260	°C
Number of Program Writes	–	1	NA
Program Retention over -40 to 125C, Process, VDD (0 to 3.6V)	–	1,000+	years
Human Body Model (JESD22-A114)	200	–	–
Charged Device Model (JESD22-C101)	750	–	–
Machine Model (JESD22-A115)	200	–	–

存儲(chǔ)事項(xiàng)

(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長(zhǎng)時(shí)間保存晶體產(chǎn)品時(shí)，會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請(qǐng)?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些晶體產(chǎn)品，并在開(kāi)封后盡可能進(jìn)行安裝，以免長(zhǎng)期儲(chǔ)藏。
正常溫度和濕度：
溫度：+15°C 至 +35°C，濕度 25 % RH 至 85 % RH（請(qǐng)參閱“測(cè)試點(diǎn)JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容）。
(2) 請(qǐng)仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞。
安裝時(shí)注意事項(xiàng)
耐焊性
加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接晶體產(chǎn)品，建議使用SMD產(chǎn)品。在下列回流條件下，對(duì)晶體產(chǎn)品甚至SMD產(chǎn)品使用更高溫度，會(huì)破壞產(chǎn)品特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些產(chǎn)品之前，應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間。同時(shí)，在安裝條件更改的情況下，請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查。如果需要焊接的石英晶體產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接，請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。
（1）柱面式產(chǎn)品和DIP產(chǎn)品
型號(hào) 焊接條件
[ 柱面式音叉晶振]
C-類(lèi)型，C-2-類(lèi)型，C-4-類(lèi)型 +280°C或低于@最大值5 s
請(qǐng)勿加熱封裝材料超過(guò)+150°C
[ 柱面式 ]
CA-301
[ DIP ]
SG-51 / 531, SG-8002DB DC,
RTC-72421 / 7301DG +260°C或低于@最大值 10 s
請(qǐng)勿加熱封裝材料超過(guò)+150°C
(2)SMD晶振產(chǎn)品回流焊接條件（實(shí)例）
用于JEDEC J-STD-020D.01回流條件的耐熱可用性需個(gè)別判斷。請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)信息。
盡可能使溫度變化曲線保持平滑.SiTime晶振,SiT9105晶振,高性能晶振.

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