HC-49S系列石英說明書
來源：http://m.kxsigang.com 作者：dgkjly 2012年05月11
應用指南
石英晶體根據其外型結構不同可分為HC-49U、HC-49U/S、HC-49U/S．SMD、UM-1、UM-5及柱狀晶體等。
HC-49U適用于具有寬闊空間的電子產品如通信設備、電視機、電話機、電子玩具中。
HC-49U/S適用于空間高度受到限制的各類薄型、小型電子設備及產品中。
HC-49U/S．SMD晶振為準表面貼裝型產品，適用于各類超薄型、小型電腦及電子設備中。
柱狀石英晶體諧振器適用于空間狹小的穩頻計時電子產品如計時器、電子鐘、計算器等。
UM系列產品主要應用于移動通訊產品中，如BP機、移動手機等。
石英晶振主要用于頻率控制和頻率選擇電路。本指南有助于確保不出現性能不滿意、成本不合適及可用性不良等現象。
振動模式與頻率關系
基頻 1～35MHz
3次泛音 10～75MHz
5次泛音 50～150MHz
7次泛音 100～200MHz
9次泛音 150～250MHz
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晶體電阻
對于同一頻率，當工作在高次泛音振動時其電阻值將比工作在低次振動時大。
工作溫度范圍與溫度頻差,在提出溫度頻差時，應考慮設備工作引起的溫升容限。
當對溫度頻差要求很高，同時空間和功率都允許的情況下，應考慮恒溫工作，恒溫晶體振蕩器就是為此而設計的。
負載電容與頻率牽引
在許多應用中，都有用一負載電抗元件來牽引晶振頻率的要求，這在鎖相環回路及調頻應用中非常必要，大多數情況下，這個負載電抗呈容性，當該電容值為CL時，則相對負載諧振頻率偏移量為：DL=C1/[2（C0+CL）]。而以CL作為可調元件由DL1調至DL2時。
負載電容的選擇
晶體工作在基頻時，其負載電容的標準值為20PF、30PF、50PF、100PF。
而泛音晶體經常工作在串聯諧振，在使用負載電容的地方，其負載電容值應從下列標準值中選擇：8PF、12PF、15PF、20PF、30PF。
激勵電平的影響
一般來講，AT切晶體激勵電平的增大，其頻率變化是正的。激勵電平過高會引起非線性效應，導致可能出現寄生振蕩；嚴重熱頻漂；
濾波電路中的應用
應用于濾波電路中時，除通常的規定外，更應注意其等效電路元件的數值和誤差以及寄生響應的位置和幅度，由于濾波晶體設計的特殊性，所以用戶選購時應特別說明。
石英晶體根據其外型結構不同可分為HC-49U、HC-49U/S、HC-49U/S．SMD、UM-1、UM-5及柱狀晶體等。
HC-49U適用于具有寬闊空間的電子產品如通信設備、電視機、電話機、電子玩具中。
HC-49U/S適用于空間高度受到限制的各類薄型、小型電子設備及產品中。
HC-49U/S．SMD晶振為準表面貼裝型產品，適用于各類超薄型、小型電腦及電子設備中。
柱狀石英晶體諧振器適用于空間狹小的穩頻計時電子產品如計時器、電子鐘、計算器等。
UM系列產品主要應用于移動通訊產品中，如BP機、移動手機等。
石英晶振主要用于頻率控制和頻率選擇電路。本指南有助于確保不出現性能不滿意、成本不合適及可用性不良等現象。
振動模式與頻率關系
基頻 1～35MHz
3次泛音 10～75MHz
5次泛音 50～150MHz
7次泛音 100～200MHz
9次泛音 150～250MHz
晶體電阻
對于同一頻率，當工作在高次泛音振動時其電阻值將比工作在低次振動時大。
工作溫度范圍與溫度頻差,在提出溫度頻差時，應考慮設備工作引起的溫升容限。
當對溫度頻差要求很高，同時空間和功率都允許的情況下，應考慮恒溫工作，恒溫晶體振蕩器就是為此而設計的。
負載電容與頻率牽引
在許多應用中，都有用一負載電抗元件來牽引晶振頻率的要求，這在鎖相環回路及調頻應用中非常必要，大多數情況下，這個負載電抗呈容性，當該電容值為CL時，則相對負載諧振頻率偏移量為：DL=C1/[2（C0+CL）]。而以CL作為可調元件由DL1調至DL2時。
負載電容的選擇
晶體工作在基頻時，其負載電容的標準值為20PF、30PF、50PF、100PF。
而泛音晶體經常工作在串聯諧振，在使用負載電容的地方，其負載電容值應從下列標準值中選擇：8PF、12PF、15PF、20PF、30PF。
激勵電平的影響
一般來講，AT切晶體激勵電平的增大，其頻率變化是正的。激勵電平過高會引起非線性效應，導致可能出現寄生振蕩；嚴重熱頻漂；
濾波電路中的應用
應用于濾波電路中時，除通常的規定外，更應注意其等效電路元件的數值和誤差以及寄生響應的位置和幅度，由于濾波晶體設計的特殊性，所以用戶選購時應特別說明。
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