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- 規(guī)格型號(hào)：15858123
- 頻率：3.579M-85MHZ
- 尺寸：11.5*4.65mm
- 產(chǎn)品描述：插件石英晶振最適合用于比較低端的電子產(chǎn)品,比如兒童玩具,普通家用電器,即使在汽車電子領(lǐng)域中也能使產(chǎn)品高可靠性的使用.并且可用于安全控制裝置的CPU時(shí)鐘信號(hào)發(fā)生源部分,好比時(shí)鐘單片機(jī)上的石英晶振,在極端嚴(yán)酷的環(huán)境...
富士通晶振,石英晶振,HC-49US晶振,石英晶體諧振器
富士通晶振,石英晶振,HC-49US晶振,石英晶體諧振器,引線型壓電石英晶體采用全新自動(dòng)生產(chǎn)設(shè)備，嚴(yán)格的對(duì)每顆晶體各項(xiàng)參數(shù)指標(biāo)檢測(cè)把關(guān)，比如電阻的測(cè)量技術(shù)：引進(jìn)一批先進(jìn)的檢測(cè)儀器，準(zhǔn)確度達(dá)到±1ppm（國(guó)標(biāo)標(biāo)準(zhǔn)）。在測(cè)量應(yīng)用上制定一套標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)量方法保證測(cè)量的準(zhǔn)確性、儀器的精度、測(cè)試的一致性。如下方面都會(huì)對(duì)測(cè)量結(jié)果帶來影響引腳焊接型石英晶體元件.工廠倉庫長(zhǎng)時(shí)間大量庫存常用頻點(diǎn),.高精度的頻率和晶振本身更低的等效串聯(lián)電阻.常用負(fù)載電容,49/S石英晶振,因插件型鏡頭成本更低和更高的批量生產(chǎn)能力.主要應(yīng)用于電視,機(jī)頂盒,LCDM和游戲機(jī)家用常規(guī)電器數(shù)碼產(chǎn)品等的最佳選擇.符合RoHS/無鉛.。
1994年3月
為了擴(kuò)充石英晶振水晶設(shè)備的銷售機(jī)型，
該公司將與韓國(guó)sunny electronics公司、山梨的無線電波股份公司、株山公司簽訂合同。
1998年4月
為了提高質(zhì)量，還導(dǎo)入了網(wǎng)絡(luò)分析儀和其他檢查器。
1998年11月
美國(guó)transkelectronics。締結(jié)進(jìn)貨銷售合同。
2000年7月
臺(tái)灣yangtec electronics corp。與富士com品牌的銷售合同。
2001年1月
“水晶震動(dòng)”自動(dòng)檢測(cè)裝置富士通晶振,石英晶振,HC-49US晶振,石英晶體諧振器。
2005年8月
傳輸法無源晶體水晶振蕩器自動(dòng)檢查裝置。
2008年6月
韓國(guó)將在國(guó)內(nèi)銷售kec和kec制的半導(dǎo)體。
為了擴(kuò)充石英晶振水晶設(shè)備的銷售機(jī)型，
該公司將與韓國(guó)sunny electronics公司、山梨的無線電波股份公司、株山公司簽訂合同。
1998年4月
為了提高質(zhì)量，還導(dǎo)入了網(wǎng)絡(luò)分析儀和其他檢查器。
1998年11月
美國(guó)transkelectronics。締結(jié)進(jìn)貨銷售合同。
2000年7月
臺(tái)灣yangtec electronics corp。與富士com品牌的銷售合同。
2001年1月
“水晶震動(dòng)”自動(dòng)檢測(cè)裝置富士通晶振,石英晶振,HC-49US晶振,石英晶體諧振器。
2005年8月
傳輸法無源晶體水晶振蕩器自動(dòng)檢查裝置。
2008年6月
韓國(guó)將在國(guó)內(nèi)銷售kec和kec制的半導(dǎo)體。
| 石英晶振參數(shù) | 單位 | HC49US 11.5*4.65mm晶振 |
| 標(biāo)準(zhǔn)頻率范圍 | f_nom | 3.579M-85MHZ |
| 儲(chǔ)存溫度 | T_stg | -40°C ~+85°C |
| 工作溫度 | T_use | -20°C ~+70°C |
| 激勵(lì)功率 | DL | 100μW |
| 精度 | f_— l | ±30 ppm |
| 拐點(diǎn)溫度 | Ti | +25°C ±5°C |
| 負(fù)載電容 | CL | 12-20pF |
| 串聯(lián)電阻（ESR） | R1 | 80kΩ Max |
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激勵(lì)功率
在石英晶體單元上施加過多驅(qū)動(dòng)力，會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品特性受到損害或破壞。電路設(shè)計(jì)必須能夠維持適當(dāng)?shù)募?lì)功率 （請(qǐng)參閱“激勵(lì)功率”章節(jié)內(nèi)容）。
負(fù)極電阻
進(jìn)口晶振除非振蕩回路中分配足夠多的負(fù)極電阻，否則振蕩或振蕩啟動(dòng)時(shí)間可能會(huì)增加（請(qǐng)參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容）富士通晶振,石英晶振,HC-49US晶振,石英晶體諧振器。
負(fù)載電容
振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差。晶振廠家試圖通過強(qiáng)力調(diào)整，可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩。在使用之前，請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容（請(qǐng)參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容）。
在石英晶體單元上施加過多驅(qū)動(dòng)力，會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品特性受到損害或破壞。電路設(shè)計(jì)必須能夠維持適當(dāng)?shù)募?lì)功率 （請(qǐng)參閱“激勵(lì)功率”章節(jié)內(nèi)容）。
負(fù)極電阻
進(jìn)口晶振除非振蕩回路中分配足夠多的負(fù)極電阻，否則振蕩或振蕩啟動(dòng)時(shí)間可能會(huì)增加（請(qǐng)參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容）富士通晶振,石英晶振,HC-49US晶振,石英晶體諧振器。
負(fù)載電容
振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差。晶振廠家試圖通過強(qiáng)力調(diào)整，可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩。在使用之前，請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容（請(qǐng)參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容）。
保方針(2).jpg)
石英插件晶振曲率半徑加工技術(shù)：石英晶振晶片在球筒倒邊加工時(shí)應(yīng)用到的加工技術(shù)，主要是研究滿足不同曲率半徑石英晶振晶片設(shè)計(jì)可使用的方法。如：1、是指球面加工曲率半徑的工藝設(shè)計(jì)（ a、球面的余弦磨量； b、球面的均勻磨量；c、球面加工曲率半徑的配合）2、在加工時(shí)球面測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)的設(shè)計(jì)原則（曲率半徑公式的計(jì)算）。
石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù)：是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英壓電晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序，鍍膜的工藝方法（如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等）。49S晶振系列使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng)，貼片晶振頻率更加集中，能控制在最小ppm之內(nèi)富士通晶振,石英晶振,HC-49US晶振,石英晶體諧振器。
石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù)：是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英壓電晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序，鍍膜的工藝方法（如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等）。49S晶振系列使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng)，貼片晶振頻率更加集中，能控制在最小ppm之內(nèi)富士通晶振,石英晶振,HC-49US晶振,石英晶體諧振器。
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