晶體控制振蕩器可以分為兩個(gè)基本組：正電抗或負(fù)電抗。正電抗模式通常稱(chēng)為“并聯(lián)諧振”或“反諧振”振蕩器。皮爾斯振蕩器是一種通常已知的正電抗振蕩器。負(fù)電抗模式通常被稱(chēng)為串聯(lián)振蕩器。Statek晶振是為特定的操作模式而設(shè)計(jì)和調(diào)諧的（表1）。

皮爾斯振蕩器

皮爾斯振蕩器（圖1）使用一個(gè)具有兩個(gè)相移的單個(gè)反相器電容器和晶體在反饋回路中提供180ºC相移。晶體的電學(xué)行為就像是一個(gè)電感器。振蕩頻率比晶體的串聯(lián)諧振頻率高30ppm至300ppm。如果晶體從電路中移除，石英晶體振蕩器通常會(huì)停止振蕩。與串聯(lián)振蕩器相比，皮爾斯振蕩器通常啟動(dòng)較慢，消耗的電流較少。小型便攜式設(shè)備（電池供電），包括手持?jǐn)?shù)據(jù)輸入終端，利用皮爾斯振蕩器，

串聯(lián)振蕩器

通常，串聯(lián)振蕩器（圖2）由兩個(gè)級(jí)聯(lián)反相器組成，石英晶振晶體連接在第二反相器輸出和第一反相器輸入之間。這種晶體在電學(xué)上表現(xiàn)得就像一個(gè)電容器。如果晶體被移除，振蕩器通常將在更高的頻率下自由運(yùn)行。與皮爾斯振蕩器相比，它的啟動(dòng)速度更快（通常為100毫秒），并汲取更高的電流。

皮爾斯系列？

晶體或振蕩器類(lèi)型的選擇主要取決于性能要求。表2總結(jié)了皮爾斯振蕩器和串聯(lián)振蕩器的性能特征。CX-1V石英晶體具有比CX-1H更高的Q，因?yàn)樗幻芊庠诔榭盏姆庋b中。CX-1H晶體具有大約3到5倍高的運(yùn)動(dòng)電阻（較低的Q），因?yàn)樗诮咏髿鈮旱那闆r下是密封的。

Statek低頻振蕩器CXOLP4SNSM4-8.0M設(shè)計(jì)的比較

表1。用于基本振蕩電路的推薦Statek晶體

CRYSTAL MODEL	PACKAGE (mm)	FREQUENCY RANGE (Click for Data Sheet)
CX20	2.5 x 1.2	16 MHz to 100 MHz
CX18	1.6 x 1.0	30 MHz to 100 MHz
CX17	4.8 x 3.0	10 MHz to 200 MHz
CX16	2.0 x 1.2	24 MHz to 100 MHz 32 kHz to 180 kHz
CX11	3.2 x 1.5	32 kHz to 240 kHz 14.7456 MHz to 250 MHz
CX11L	3.2 x 1.5	16 MHz to 250 MHz (Telemetry Crystal)
CX11LHG High Shock	3.2 x 1.5	16 MHz to 50 MHz
CX9HT High Temperature	4.1 x 1.5	32 kHz to 160 kHz 14 MHz to 250 MHz
CX4	5.0 x 1.8	30 kHz to 250 kHz 600 kHz to 1.4 MHz 14 MHz to 250 MHz
CX4HG High Shock	5.0 x 1.8	14 MHz to 50 MHz
CX4HT High Temperature	5.0 x 1.8	30 kHz to 250 kHz 600 kHz to 2.5 MHz 14 MHz to 250 MHz
CX1	8.0 x 3.6	10 kHz to 600 kHz 530 kHz to 2.1 MHz 6 MHz to 250 MHz
CX1HG High Shock	8.0 x 3.6	6 MHz to 250 MHz
CX1HT High Temperature	8.0 x 3.6	10 kHz to 600 kHz 530 kHz to 2.1 MHz 6 MHz to 250 MHz
SWCX1 (swept quartz)	8.0 x 3.6	6 MHz to 250 MHz